意法半导体最新一代碳化硅(SIC)功率器件提高了性能和可靠性，保持了一贯的领先地位，使其更适合电动汽车和节能工业应用

　　意大利-法国半导体对未来增长表示欢迎，并继续对SiC市场进行长期投资

　　意法半导体(st)推出第三代stpower碳化硅(SIC)MOSFET晶体管“MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是现代电子产品的基本组成部分。它促进了电动汽车全功率成功率器件的前沿应用，以及在其他场景中以高功率密度、高能效和高可靠性为重要目标。

　　意大利-法国半导体汽车和分立器件产品集团副总裁兼功率晶体管业务部总经理Edoardo Merli表示。

　　我们将继续推动这一激动人心的技术发展，并在芯片和封装层面进行创新。作为一家完全控制供应链的SiC产品制造商，我们可以为客户提供性能不断提高的产品。我们将继续投资汽车和工业项目，预计到2024年，SiC的收入将达到10亿美元。

　　意法半导体第三代碳化硅技术平台已完成标准认证，预计该技术平台衍生的大部分产品将于2021年底达到商业成熟度。标称电压为650V、750V至1200V的设备将陆续投放市场，为设计人员提供更多开发应用的选择，从公共电源输出到电动汽车的高压电池和充电器电源。首批可用的产品是裸芯片形式的650V sct040h65g3ag和750V sct160n75g3d8ag。

　　请参阅技术信息

　　意法半导体最新的平面MOSFET通过新的第三代SiC技术平台为晶体管行业树立了新的品质因数(FOM)基准。业界公认的公式[导通电阻(RON)x芯片面积和RON x栅极电荷(QG)]算法可以指示晶体管的能量效率、功率密度和开关性能。用普通硅技术改进fom越来越困难，因此SiC技术是进一步改进fom的关键。意法半导体的第三代SiC产品将引领晶体管FOM的发展。

　　SiC MOSFET的单位面积耐压额定值高于硅基MOSFET，使其成为电动汽车和快速充电基础设施的最佳选择。SiC还具有非常快的寄生二极管开关和电动汽车外部电源(v2x)车载充电器(OBC)的双向电流流动特性的优点。它可以从车载电池中获取电力，为基础设施供电。此外，碳化硅晶体管的极高开关频率为在电力系统中使用更小的无源元件提供了可能性，这使得车辆中的电气设备更加紧凑和轻便。这些产品优势也有助于降低工业应用中的拥有成本。

　　意法半导体的第三代产品提供多种封装，包括芯片、分立电源封装(stpak、h2pak-7l、hip247-4l和hu3pak)和acepack系列电源模块。这些封装为设计人员提供了创新功能，如专门设计的散热片，可以简化芯片与基板和散热器之间的连接，适用于电动汽车应用，使设计人员可以根据动力电机逆变器和车载充电器等应用选择专用芯片(OBC)、DC/DC转换器、电子空调压缩机和太阳能逆变器、储能系统电机驱动器和电源等工业应用。